Toshiba Corp. разработала технологию обнаружения точек перегрева
(hotspot) литографии на уровне кристалла на стадии создания ячейки и
представила подробности на Photomask Japan 2009. Toshiba использует эту
технологию в производстве микросхем по нормам в 45 нм и более.
Процесс освидетельствования для выявления точек перегрева,
называемый проверкой литографического соответствия (lithography
compliance check, LCC), имеет две стадии. Во время первого этапа
происходит LCC ячейки, где симуляция литографии осуществляется на
основе данных о шаблоне маски ячейки, которая подвергается оптической
коррекции эффекта близости (optical proximity correction, OPC). В
результате симуляции определяется контур (шаблон, перенесенный на
кремний) с учетом влияния соседних структур в ячейке. При отсутствии
дефектов проверка переходит на уровень чипа.
В отличие от освидетельствования ячейки, литографическая симуляция
при LCC всего чипа покрывает более широкую область, что требует
большего времени обработки. Поскольку развитие происходит в направлении
миниатюризации, время обработки увеличивается из-за более сложной OPC.
Тем не менее, проблемы, найденные на чип-уровне LCC, часто сложно
исправить, поскольку процесс создания микросхемы уже подходит к
определенной стадии.
Toshiba использует две технологии, называемые "теплая точка" (warm
spot) и "универсальный шаблон" (universal pattern) и разработала метод
обнаружения точек перегрева на уровне чипа на стадии производства за
короткий период времени. Теплой точкой называют область, которая не
несет никаких проблем на уровне ячейки, но может привести к
неприятностям на уровне микросхемы. Новый метод одновременно выявляет
точки перегрева и теплые точки с помощью симуляции литографии при LCC
на уровне ячейки. Если не обнаружены проблемы при моделировании
литографии, используя универсальный шаблон, это означает, что теплые
точки не перейдут в состояние перегрева.
Для того, чтобы найти форму, которая может быть использована в
качестве универсального шаблона, Toshiba испытала множество форм и
выявила, что круглый шаблон наиболее универсален. В ходе презентации
Toshiba не раскрыла такие детали, как критерий выбора точек перегрева и
размеры универсального шаблона. Тем не менее, это можно назвать
значительным достижением на пути упрощения LCC, которая будет играть
все более значительную практическую роль при дальнейшей миниатюризации
производства.
Источник: http://www.3dnews.ru/news/razrabotana_tehnologiya_viyavleniya_defektov_chipa_na_stadii_yacheiki/ |