Оперативная память Hynix на 4 Гбит поддерживается Intel Moorestown
Компания Hynix Semiconductor представила новую мобильную SDRAM-память
DDR с плотностью 4 Гбит. Отличительной особенностью новой оперативной
памяти является то, что она поддерживается будущей платформой Intel
Moorestown, разработанной специально для использования в мобильных
интернет-устройствах (MID).
Новые модули SDRAM-памяти Hynix с плотностью 4 Гбит имеют максимальную
рабочую скорость 400 Мбит/с, что позволяет им обрабатывать до 1,6 Гб
данных в секунду при использовании с 32-битным интерфейсом. Кроме того,
новая память Hynix соответствует стандартам JEDEC и предназначена для
использования в будущих мобильных устройствах, включая MID, нетбуки и
смартфоны с повышенными требованиями к плотности и скорости работы
DRAM. Еще одним преимуществом новой памяти должно стать ее низкое
энергопотребление.
Hynix предлагает свои новые модули памяти на
4 Гбит в MCP и POP-упаковках, а массовое производство этих устройств
планируется развернуть до конца третьего квартала.
