Samsung запускает производство 40 нм чипов памяти DDR3 DRAM на 2 Гбит
Подразделение Samsung Electronics, компания Samsung Semiconductor,
объявила о начале массового производства первых в истории индустрии
чипов памяти DDR3 DRAM с плотностью 2 Гбит, созданных по нормам 40 нм
технологического процесса. Новые чипы памяти обеспечивают скорость
передачи данных до 1,6 Гбит/с, при этом их рабочее напряжение
составляет 1,35 вольта.
Новые 40 нм чипы Samsung предназначены для применения в модулях памяти
RDIMM с емкостью от 4 до 16 Гб для серверных систем, а также в
UDIMM-модулях, используемых в рабочих станциях и настольных
компьютерах. Кроме того, планируется применять их в модулях SODIMM
емкостью до 4 Гб, предназначенных для работы в ноутбуках.
Кстати,
по данным исследовательской фирмы iSuppli, чипы памяти DDR3 с
плотностью 2 Гбит могут составить 82 процента общей памяти DDR3 DRAM в
устройствах, которые будут проданы в 2012 году. Таким образом, новые 40
нм чипы Samsung должны найти свое место на рынке памяти.
