В конце января компания Samsung сообщила о началах поставок микросхем памяти типа DDR-3 плотностью 4 Гбита, выпускаемых по 50 нм технологии. Такая память позволяет создавать регистровые модули объёмом до 16 Гб, а при использовании двухчиповой компоновки объём модуля памяти можно довести до 32 Гб. Однако, до серийного производства модулей памяти на базе таких микросхем дело ещё не дошло.

Вместо этого компания Samsung вчера объявила о начале поставок модулей памяти на базе двухгигабитных микросхем DDR-3, выпущенных по 50 нм технологии. Среди 18 доступных конфигураций встречаются и регистровые модули памяти типа DDR3-1066 объёмом 16 Гб, использующие двухчиповую компоновку. 

Что примечательно, эти модули памяти работают при номинальном напряжении 1.35 В. Это позволяет экономить до 20% электроэнергии по сравнению со стандартными модулями памяти, работающими при напряжении 1.5 В. Регистровая память применяется в серверных системах. Используя новые модули Samsung, можно оснастить двухпроцессорную систему 192 Гб оперативной памяти, если на каждый процессорный разъём приходится по шесть слотов для установки памяти.